Samsung pravi 20nm 4Gb DDR3 dram
Kompanija Samsung je počela sa proizvodnjom 20nm 4Gb DRAM modula koji bi trebali zamijeniti 25nm čipove te pružiti nekoliko prednosti.
Kompanija kaže kako su novi 20nm čipovi 25% efikasniji nego stari 25nm čipovi. Prilikom pravljenja ovakvih DRAM modula, Samsung koristi ArF litografiju.
"Sa novim 20nm DDR3 DRAM-om, koristeći ovakvu tehnologiju, Samsung je takodjer poboljšao produktivnost proizvodnje, koja je 30% viša od proizvodnje 25 nanometarskog DDR3 modula, i više nego duplo uspješnija nego 30nm-klasa DDR3 modula" izjavili su iz kompanije Samsung.
Još uvijek nije tačno poznato kada novi moduli izlaze na tržište, ali se očekuju jako brzo dostupni za kupovinu.
Kompanija kaže kako su novi 20nm čipovi 25% efikasniji nego stari 25nm čipovi. Prilikom pravljenja ovakvih DRAM modula, Samsung koristi ArF litografiju.
"Sa novim 20nm DDR3 DRAM-om, koristeći ovakvu tehnologiju, Samsung je takodjer poboljšao produktivnost proizvodnje, koja je 30% viša od proizvodnje 25 nanometarskog DDR3 modula, i više nego duplo uspješnija nego 30nm-klasa DDR3 modula" izjavili su iz kompanije Samsung.
Još uvijek nije tačno poznato kada novi moduli izlaze na tržište, ali se očekuju jako brzo dostupni za kupovinu.
Izvor: www.fudzilla.com
Komentari (1)
Prijavi se da bi komentarisao/la.
